硅来半导体(武汉)有限公司
首页 > 产品中心 > 碳化硅粉 > 4英寸导电型SiC衬底
产品详情
4英寸导电型SiC衬底
4英寸导电型SiC衬底的图片
参考报价:
面议
品牌:
关注度:
15
样本:
暂无
型号:
4HSiC
产地:
武汉
信息完整度:
典型用户:
暂无
索取资料及报价
认证信息
 
名 称:硅来半导体(武汉)有限公司
认 证:工商信息已核实
访问量:323
手机网站
扫一扫,手机访问更轻松
产品分类
公司品牌
品牌传达企业理念
产品简介

产品参数


参数名称P级R级D级
晶型4H
晶向向<11-20> 偏转4º± 0.5º
主参考面长度32.5±2.0mm
次参考面长度18.0±2.0mm
电阻率0.015~0.025ohm·cm
直径100 ± 0.25 mm
厚度350±25μm(可定制)
LTV≤ 2 μm≤ 5 μm≤8 μm
TTV≤ 3 μm≤ 5 μm≤ 10 μm
Bow-15 μm - 15 μm-25 μm - 25 μm-45 μm - 45 μm
Warp≤ 20μm≤ 35μm≤ 55μm
微管≤ 0.2ea/cm2≤ 0.5ea/cm2≤ 1ea/cm2
TSD≤ 500ea/cm2≤ 1000ea/cm2__
BPD≤ 1500ea/cm2≤ 3000ea/cm2__
崩边/裂纹/六方空洞
多晶面积__
表面粗糙度Ra≤0.2nm(正面)   Ra≤2nm(背面)
边缘处理倒角
划伤累计长度小于半径累计长度小于直径__
颗粒度≤60 (size≥ 0.3 μm)__
标记激光编码
包装单片/多片包装


  • 推荐产品
  • 供应产品
  • 产品分类
我要咨询关闭
  • 类型:*     
  • 姓名:* 
  • 电话:* 
  • 单位:* 
  • Email: 
  •   留言内容:*
  • 让更多商家关注 发送留言